在工业嵌入式存储领域EVERSPIN MRAM凭借高速读写、非易失性、超长耐久的特性长期被广泛应用于工业控制、数据采集、智能设备等场景。但受市场供应链波动影响EVERSPIN MRAM产品价格持续上涨大幅增加了企业硬件采购与量产成本。为此我司推出EVERSPIN MRAM替代方案——NETSOL MRAM存储器可实现全参数兼容替换性价比超高适配各类原有应用场景。一、NETSOL MRAM存储器适配优势NETSOL MRAM作为英尚重磅推出的EVERSPIN MRAM替代依托成熟的STT-MRAM技术架构延续了磁性存储的核心优势兼具SRAM的高速读写性能与闪存的非易失存储特性。NETSOL MRAM存储器主打高频次、快速数据存取场景可稳定完成工业设备的数据记录、程序存储、数据备份、实时缓存等核心工作能够直接替代传统闪存、FeRAM、nvSRAM等存储芯片完美匹配原EVERSPIN MRAM的所有功能需求。二、NETSOL MRAM存储器全面兼容的硬件参数配置为满足不同设备的替换需求NETSOL MRAM搭载多规格容量体系覆盖1Mb至64Mb全系列型号适配绝大多数中小大型嵌入式存储设备。EVERSPIN MRAM替代接口兼容性极强支持SDR、DDR串行架构兼容单线、双线、四线SPI接口适配主流设备通信协议。供电方面支持1.8V、3.3V双电压区间宽幅电压设计可适配复杂工业供电环境。三、NETSOL MRAM存储器稳定可靠的工业级性能作为EVERSPIN MRAM替代NETSOL MRAM存储器具备顶级工业级耐久与数据保存能力85℃高温工况下数据可稳定保存20年读取次数无限制写入耐久可达10¹⁴次可长期适配高频读写作业。除此之外NETSOL MRAM存储器无需搭配外部ECC纠错模块简化硬件设计、降低生产成本。同时采用8WSON、8SOP、16SOP、24FBGA等通用工业封装引脚定义标准化多种选择替换EVERSPIN MRAM降低替换调试成本。